芯片短缺问题应该是今年全球供应链所需要解决的关键问题，现在芯片短缺不仅仅给汽车行业带来了一定的危机，而且对手机行业带来更多的冲击。虽然各大晶圆厂已经开足马力投入生产，但是产能始终得不到根本性的解决。即便是已经开始建造新的工厂，无奈时间周期过长，现阶段远水解不了近渴。

ASML光刻机

对于我国的芯片制造来说，同样也存在着很多的困难，首当其冲的是光刻机问题，因为落后太多，一时半刻追赶不上来，成为了卡脖子的大难题，这也直接限制了国产芯片的发展，对于产能提升来了，更是困难重重。

不过，好消息还是有的，一个是有关中芯国际的，一个是有关国产光刻机的。

国产光刻机

根据中芯国际的公告，我们可以看出来，中芯国际已经和ASML签订了订单，订单的总价值高达78亿元。这个订单的信息量非常巨大，一时间让不少人觉得中芯国际在先进制程工艺上基本上没有了光刻机的羁绊。

中芯国际

尽管后来ASML对这次订单进行了解释，称这次订单的协议在2018年就已经签订，结束时间是去年年底，双方签订的延期时间到2021年年底。而订单上所涉及到的光刻机产品则是DUV光刻机，和EUV光刻机无关。

中芯国际

这也让不少人对这个协议有点失望，但是比较积极的一面则是，通过这次协议，中芯国际在已经成熟的制程工艺上，已经没有了光刻机问题的限制，即便是在7nm工艺上，暂时也是不需要EUV光刻机的，更何况现在中芯国际已经可以采购到除了EUV光刻机之外，几乎所有的ASML的光刻机产品了，所以说中芯国际的7nm工艺芯片制造工艺也是没有什么大问题的，这就将很大程度上满足我们对芯片的需求了。

ASML

国产光刻机的制造确实是处于落后状态，现在成熟的制程工艺节点在90nm，据传一两年内将实现28nm的整机突破，虽然说这是好事，但是还有更好的事情。

国产光刻机

光刻机的制造技术中，光源问题是相当重要的一环，分为紫外光源(UV )、深紫外光源(DUV)、极紫外光源( EUV)。其中，极紫外光源的制造方法，主要的是采用将二氧化碳激光照射在锡等靶材上的办法，以此激发出13.5 nm的光子，实现EUV光源的制造。

为了提高光刻机的效率，必须优化设计激光器输出功率、曝光能量控制等各个技术环节，因为在相同的曝光量下，光源的功率越高，曝光需要的时间越少，相对时间来说，产能也就越高，据悉，现在光刻机光源的功率已经达到500kw级别了。

国产光刻机

而国产光刻机的好消息就是清华大学工程物理系唐传祥研究组与合作团队在世界上第一次实现了对一种新型粒子加速器光源“稳态微聚束”的原理验证实验。这这为获得高功率、高重频、窄带宽的相干辐射提供了原理制程，实现了从太赫兹到极紫外波段的波长覆盖，而与这一突破相关的“卡脖子”难题正是EUV光刻机中的极紫外光源。正是基于这样的突破，清华大学已经开始推动SSMB EUV光源在国家层面的立项工作，将助推国产光刻机在高端领域的发展。

芯片制造

光刻机的落后限制了我们在高端芯片制造上的发展，也是我国未来高科技发展的一大隐患，一日不解决，隐患就会威胁我们的发展，好在我们已经意识到了问题所在，已经开始相关攻关，期待好消息的早日到来，加油，我们的科技工作者。

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